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日本先进半导体制造商Rapidus 官宣研发新制程
3月31日，日本先进半导体制造商Rapidus首席技术官石丸一成在接受采访时明确表态，目标将1nm先进制程节点与台积电的差距，缩短至半年左右，剑指全球先进制程赛道。
石丸一成坦承，Rapidus在2025年7月宣布启动2nm GAA制程试制时，晶体管表现并不理想，试制过程较为仓促，工艺技术与生产设备均未完全准备就绪。不过在去年9~11月的快速优化中，该公司2nm制程性能得到显著提升，目前计划从2026年底开始生产客户设计的2nm测试芯片，为2027年量产筑牢基础。
作为衔接2nm与1nm的关键节点，1.4nm制程成为Rapidus的重点布局方向，该公司计划在2026年内全面启动1.4nm研发，目标于2029年实现量产。研发过程中，Rapidus将延续与IBM的深度合作，其一半工程师常驻美国纽约州，参与双方联合研发工作，助力先进制程技术突破。
据悉，Rapidus作为日本重点扶持的半导体企业，已获得多方资金支持，同时依托与IBM的合作积累了GAA晶体管相关核心技术，此次加速1.4nm、1nm研发，旨在追赶台积电、三星等行业巨头，抢占先进制程赛道主动权。
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